Matrice à diodes TVS STMicroelectronics 4 3 V, 8 broches QFN
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsConfiguration de diode
Ensemble complexe
Type du produit
Matrice à diodes TVS
Tension de claquage minimum Vbr
6V
Type de montage
Surface
Type de Boitier
QFN
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm
3V
Nombre de broche
8
Tension de pincement VC
18V
Température de fonctionnement minimum
-40°C
Courant de test It
1mA
Courant d'impulsion crête maximum
3A
Protection ESD
Yes
Nombre d'éléments par circuit
4
Température d'utilisation maximum
150°C
Taille
0.5mm
Longueur
2.05mm
Normes/homologations
No
Série
HSP061
Courant de fuite inverse maximum
100nA
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Protection ESD pour lignes de données à haut débit
Transient Voltage Suppressors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 760,37
€ 0,293 Each (On a Reel of 6000) (hors TVA)
6000
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6V
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Surface
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QFN
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3V
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8
Tension de pincement VC
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Température de fonctionnement minimum
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Courant de test It
1mA
Courant d'impulsion crête maximum
3A
Protection ESD
Yes
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4
Température d'utilisation maximum
150°C
Taille
0.5mm
Longueur
2.05mm
Normes/homologations
No
Série
HSP061
Courant de fuite inverse maximum
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No
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