Transistor Darlington, Non STMicroelectronics 1, 8 A NPN, 100 V HFE:100, 3 broches, TO-252

N° de stock RS: 165-7778Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: MJD122T4
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Documents techniques

Spécifications

Type de produit

Darlington Transistor

Courant continu de Collecteur maximum lc

8A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

100V

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Nombre d'éléments par circuit

1

Gain en courant DC minimum hFE

100

Dissipation de puissance maximum Pd

20W

Polarité du transistor

NPN

Tension Emetteur Base maximale VEBO

5V

Température de fonctionnement minimum

-65°C

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2V

Tension Collecteur Base maximale VCBO

100V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

6.2 mm

Taille

2.4mm

Longueur

6.6mm

Normes/homologations

No

Séries

MJD122

Courant de coupure Collecteur maximum

0.01mA

Standard automobile

No

Pays d'origine

Malaysia

Détails du produit

Transistors Darlington NPN, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

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€ 624,36

€ 0,25 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)

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1

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100

Dissipation de puissance maximum Pd

20W

Polarité du transistor

NPN

Tension Emetteur Base maximale VEBO

5V

Température de fonctionnement minimum

-65°C

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2V

Tension Collecteur Base maximale VCBO

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Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

6.2 mm

Taille

2.4mm

Longueur

6.6mm

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No

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