Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
-0.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
300 V
Type d'emballage
SOT-32
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
2.8 W
Gain en courant DC minimum
30
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
300 V
Tension Emetteur Base maximum
3 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Détails du produit
Transistors haute tension, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Prix sur demande
Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)
Paquet de production (Sac)
10
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10
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NPN
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Tension Collecteur Emetteur maximum
300 V
Type d'emballage
SOT-32
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
2.8 W
Gain en courant DC minimum
30
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
300 V
Tension Emetteur Base maximum
3 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Détails du produit
Transistors haute tension, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.