MOSFET STMicroelectronics canal N, H2PAK-7 110 A 900 V, 7 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
110 A
Tension Drain Source maximum
900 V
Série
SCT
Type de boîtier
H²PAK-7
Type de montage
CMS
Nombre de broche
7
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Prix sur demande
Paquet de production (Bobine)
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
110 A
Tension Drain Source maximum
900 V
Série
SCT
Type de boîtier
H²PAK-7
Type de montage
CMS
Nombre de broche
7
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.