MOSFET STMicroelectronics canal N, H2PAK-7 40 A 1 200 V, 7 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
40 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Type de boîtier
H²PAK-7
Série
SCT
Type de montage
CMS
Nombre de broche
7
Mode de canal
Enrichissement
Matériau du transistor
SiC
Nombre d'éléments par circuit
1
Pays d'origine
China
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Prix sur demande
Paquet de production (Bobine)
1
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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