IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 20 A, 600 V 1 MHz, 3 broches, TO-263 Surface
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
20A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
65W
Type de Boitier
TO-263
Typ montáže
Surface
Typ kanálu
Type N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.5V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
10.4mm
Taille
4.6mm
Normes/homologations
RoHS
Automobilový standard
No
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 10,19
€ 2,037 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,037 | € 10,18 |
| 25 - 45 | € 1,936 | € 9,68 |
| 50 - 120 | € 1,745 | € 8,72 |
| 125 - 245 | € 1,565 | € 7,83 |
| 250+ | € 1,489 | € 7,45 |
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Type du produit
IGBT
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Surface
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Type N
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3
Vitesse de découpage
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
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Température minimum de fonctionnement
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RoHS
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No
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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