IGBT, STGB10NC60HDT4, , 10 A, 600 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
10 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
65 W
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.4 x 9.35 x 4.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 47,21
€ 1,889 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
25
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 1,889 | € 9,44 |
| 50 - 120 | € 1,701 | € 8,51 |
| 125 - 245 | € 1,525 | € 7,63 |
| 250+ | € 1,452 | € 7,26 |
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10 A
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65 W
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Type de canal
N
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3
Vitesse de découpage
1MHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.4 x 9.35 x 4.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
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Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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