IGBT, STGB10NC60HDT4, , 10 A, 600 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
IGBT
Courant continu de Collecteur maximum lc
20A
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
65W
Type de Boitier
TO-263
Type de montage
Surface
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.5V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
9.35 mm
Longueur
10.4mm
Taille
4.6mm
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 9,92
€ 1,984 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 9,92
€ 1,984 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,984 | € 9,92 |
| 25 - 45 | € 1,886 | € 9,43 |
| 50 - 120 | € 1,699 | € 8,50 |
| 125 - 245 | € 1,524 | € 7,62 |
| 250+ | € 1,451 | € 7,25 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
IGBT
Courant continu de Collecteur maximum lc
20A
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
65W
Type de Boitier
TO-263
Type de montage
Surface
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.5V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
9.35 mm
Longueur
10.4mm
Taille
4.6mm
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.