IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 20 A, 600 V 1 MHz, 3 broches, TO-263 Surface
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
20A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
65W
Type de Boitier
TO-263
Type de montage
Surface
Type de canal
Type N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.5V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 48,57
€ 1,943 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
€ 48,57
€ 1,943 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
25
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 1,943 | € 9,71 |
| 50 - 120 | € 1,751 | € 8,76 |
| 125 - 245 | € 1,571 | € 7,86 |
| 250+ | € 1,495 | € 7,47 |
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IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
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Type de montage
Surface
Type de canal
Type N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
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Température de fonctionnement minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
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Longueur
10.4mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
RoHS
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No
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Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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