IGBT AEC-Q101 STMicroelectronicsCanal-Type N, 30 A, 420 V 1 MHz, 3 broches, TO-263 Surface
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
30A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
420V
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Type de Boitier
TO-263
Type de support
Surface
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
16 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.7V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
9.35 mm
Taille
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Séries
Automotive Grade
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 10,70
€ 2,141 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
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Surface
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Type N
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Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
16 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
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Largeur
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Taille
4.6mm
Longueur
10.4mm
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No
Séries
Automotive Grade
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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