IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 10 A, 600 V, 3 broches, TO-252 Surface
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
10A
Type du produit
IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
88W
Type de Boitier
TO-252
Typ montáže
Surface
Typ kanálu
Type N
Nombre de broche
3
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
1.95V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Maximální provozní teplota
85°C
Longueur
6.6mm
Höhe
2.4mm
Normes/homologations
RoHS
Série
H
Energie
221mJ
Automobilový standard
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 1 146,44
€ 0,459 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Surface
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Type N
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3
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
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Température minimum de fonctionnement
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Höhe
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Normes/homologations
RoHS
Série
H
Energie
221mJ
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No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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