IGBT, STGD5H60DF, , 10 A, 600 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
10 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
83 W
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Capacité de grille
855pF
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Indice énergétique
221mJ
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 35,45
€ 0,709 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 35,45
€ 0,709 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 0,709 | € 7,09 |
| 100 - 240 | € 0,638 | € 6,38 |
| 250 - 490 | € 0,575 | € 5,76 |
| 500+ | € 0,547 | € 5,47 |
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Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
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N
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3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Température de fonctionnement minimum
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Capacité de grille
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Température d'utilisation maximum
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Pays d'origine
China
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Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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