IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 10 A, 600 V, 3 broches, TO-252 Surface
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
10A
Type du produit
IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
88W
Type de Boitier
TO-252
Type de support
Surface
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
±20 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.95V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
6.2 mm
Taille
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
RoHS
Séries
H
Energie
221mJ
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 7,54
€ 0,754 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 7,54
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Standard
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,754 | € 7,54 |
| 50 - 90 | € 0,715 | € 7,15 |
| 100 - 240 | € 0,643 | € 6,43 |
| 250 - 490 | € 0,58 | € 5,80 |
| 500+ | € 0,551 | € 5,51 |
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Type de Boitier
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Surface
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Type N
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3
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
±20 V
Température d'utilisation minimum
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Largeur
6.2 mm
Taille
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Longueur
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RoHS
Séries
H
Energie
221mJ
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
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IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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