IGBT, STGD5NB120SZT4, , 10 A, 1200 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
10 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
75000 mW
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Indice énergétique
12.68mJ
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Capacité de grille
430pF
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 7,36
€ 1,473 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,473 | € 7,36 |
| 25 - 45 | € 1,398 | € 6,99 |
| 50 - 120 | € 1,262 | € 6,31 |
| 125 - 245 | € 1,132 | € 5,66 |
| 250+ | € 1,077 | € 5,39 |
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Type de montage
CMS
Type de canal
N
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3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Température d'utilisation maximum
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Indice énergétique
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Température de fonctionnement minimum
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China
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Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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