IGBT, STGD5NB120SZT4, , 10 A, 1200 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
5A
Type de produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
1200V
Dissipation de puissance maximum Pd
75W
Type de Boitier
TO-252
Type de montage
Surface
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
690ns
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
6.4 mm
Taille
2.2mm
Longueur
6.2mm
Normes/homologations
JEDEC JESD97, ECOPACK
Séries
H
Energie
12.68mJ
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 7,39
€ 1,478 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,478 | € 7,39 |
| 25 - 45 | € 1,403 | € 7,01 |
| 50 - 120 | € 1,266 | € 6,33 |
| 125 - 245 | € 1,136 | € 5,68 |
| 250+ | € 1,081 | € 5,40 |
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IGBT
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Surface
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Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
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Température de fonctionnement minimum
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Largeur
6.4 mm
Taille
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Longueur
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Séries
H
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No
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IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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