IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 5 A, 1200 V 690 ns, 3 broches, TO-252 Surface
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
5A
Typ produktu
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
1200V
Dissipation de puissance maximum Pd
75W
Type de Boitier
TO-252
Typ montáže
Surface
Typ kanálu
Type N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
690ns
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2V
Maximální provozní teplota
60°C
Höhe
2.2mm
Longueur
6.2mm
Normes/homologations
JEDEC JESD97, ECOPACK
Série
H
Energie
12.68mJ
Automobilový standard
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 35,39
€ 1,416 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
€ 35,39
€ 1,416 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
25
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 1,416 | € 7,08 |
| 50 - 120 | € 1,277 | € 6,39 |
| 125 - 245 | € 1,146 | € 5,73 |
| 250+ | € 1,091 | € 5,46 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
5A
Typ produktu
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
1200V
Dissipation de puissance maximum Pd
75W
Type de Boitier
TO-252
Typ montáže
Surface
Typ kanálu
Type N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
690ns
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2V
Maximální provozní teplota
60°C
Höhe
2.2mm
Longueur
6.2mm
Normes/homologations
JEDEC JESD97, ECOPACK
Série
H
Energie
12.68mJ
Automobilový standard
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.