IGBT, STGF10NB60SD, , 23 A, 600 V, TO-220FP, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
23 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
25 W
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.4 x 4.6 x 20mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Capacité de grille
610pF
Température d'utilisation maximum
150 °C
Indice énergétique
8mJ
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 59,60
€ 1,192 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
50
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Paquet de production (Tube)
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 1,192 | € 11,92 |
| 100 - 240 | € 1,161 | € 11,61 |
| 250 - 490 | € 1,132 | € 11,32 |
| 500+ | € 1,103 | € 11,03 |
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N
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Single
Dimensions
10.4 x 4.6 x 20mm
Température de fonctionnement minimum
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Capacité de grille
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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