IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 29 A, 600 V 3.8 μs, 3 broches, TO-220FP Traversant
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
29A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
80W
Type de Boitier
TO-220FP
Type de montage
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
3.8μs
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
±20 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.75V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
10.4mm
Longueur
30.6mm
Normes/homologations
RoHS
Série
Low Drop
Energie
8mJ
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 55,21
€ 1,104 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,104 | € 55,21 |
| 100 - 200 | € 1,09 | € 54,52 |
| 250+ | € 1,077 | € 53,83 |
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IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
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Type de Boitier
TO-220FP
Type de montage
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
3.8μs
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
±20 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.75V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
10.4mm
Longueur
30.6mm
Normes/homologations
RoHS
Série
Low Drop
Energie
8mJ
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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