IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 9 A, 600 V 1 MHz, 3 broches, TO-220 Traversant
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
9A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
25W
Type de Boitier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.5V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Taille
16.4mm
Normes/homologations
No
Série
Low Drop
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 8,27
€ 0,827 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Standard
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,827 | € 8,27 |
| 50 - 90 | € 0,817 | € 8,17 |
| 100 - 240 | € 0,807 | € 8,07 |
| 250 - 490 | € 0,797 | € 7,97 |
| 500+ | € 0,788 | € 7,88 |
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Type N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
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Température de fonctionnement minimum
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Longueur
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Taille
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No
Série
Low Drop
Standard automobile
No
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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