IGBT, STGF6NC60HD, , 6 A, 600 V, TO-220FP, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
6 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
20 W
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.4 x 4.6 x 16.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 33,92
€ 0,678 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,678 | € 33,92 |
| 100 - 200 | € 0,644 | € 32,20 |
| 250 - 450 | € 0,58 | € 28,99 |
| 500+ | € 0,576 | € 28,82 |
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A-220
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Type de canal
N
Nombre de broche
3
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Single
Dimensions
10.4 x 4.6 x 16.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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150 °C
Pays d'origine
China
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IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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