Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
6 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
20 W
Type de boîtier
A-220
Type de fixation
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.4 x 4.6 x 16.4mm
Température maximum d'utilisation
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 33,99
€ 1,36 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
25
€ 33,99
€ 1,36 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
25
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 1,36 | € 6,80 |
| 50 - 120 | € 1,223 | € 6,12 |
| 125 - 245 | € 1,103 | € 5,52 |
| 250+ | € 1,046 | € 5,23 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
6 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
20 W
Type de boîtier
A-220
Type de fixation
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.4 x 4.6 x 16.4mm
Température maximum d'utilisation
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


