IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 7 A, 600 V 1 MHz, 3 broches, TO-220FP Traversant
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
7A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
56W
Type de Boitier
TO-220FP
Type de support
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
4.6 mm
Taille
16.4mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
JEDEC JESD97
Séries
Powermesh
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 34,07
€ 0,681 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 34,07
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,681 | € 34,07 |
| 100 - 200 | € 0,647 | € 32,34 |
| 250 - 450 | € 0,582 | € 29,12 |
| 500+ | € 0,579 | € 28,94 |
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IGBT
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Type de Boitier
TO-220FP
Type de support
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
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4.6 mm
Taille
16.4mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
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Powermesh
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No
Pays d'origine
China
Détails du produit
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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