IGBT, STGP3HF60HD, , 7,5 A, 600 V, A-220, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
7,5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
38 W
Type de boîtier
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broches
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.4 x 4.6 x 15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température maximale d'utilisation
150 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 25,26
€ 0,505 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 25,26
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,505 | € 25,26 |
| 100 - 200 | € 0,48 | € 24,00 |
| 250 - 450 | € 0,432 | € 21,60 |
| 500+ | € 0,43 | € 21,48 |
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TO-220
Type de fixation
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Type de canal
N
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3
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Single
Dimensions
10.4 x 4.6 x 15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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150 °C
Pays d'origine
China
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Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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