IGBT, STGP3HF60HD, , 7,5 A, 600 V, A-220, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
7,5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
38 W
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.4 x 4.6 x 15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 5,34
€ 1,069 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,069 | € 5,34 |
| 10 - 95 | € 0,877 | € 4,38 |
| 100 - 495 | € 0,617 | € 3,08 |
| 500+ | € 0,534 | € 2,67 |
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Type de conditionnement
TO-220
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Through Hole
Type de canal
N
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3
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Single
Dimensions
10.4 x 4.6 x 15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
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Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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