IGBT, STGP3HF60HD, , 7,5 A, 600 V, A-220, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
7,5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
38 W
Type de boîtier
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broches
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.4 x 4.6 x 15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température de fonctionnement maximale
150 °C
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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Type de boîtier
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Through Hole
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N
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Single
Dimensions
10.4 x 4.6 x 15.75mm
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-55 °C
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Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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