IGBT, STGP7NC60HD, , 25 A, 600 V, A-220, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
25 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 41,73
€ 0,835 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,835 | € 41,73 |
| 100 - 450 | € 0,714 | € 35,68 |
| 500 - 950 | € 0,695 | € 34,77 |
| 1000 - 4950 | € 0,678 | € 33,91 |
| 5000+ | € 0,66 | € 33,00 |
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Type de boîtier
A-220
Type de montage
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N
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3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
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Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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