IGBT, STGW20H60DF, , 40 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
40 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
167 W
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 5,07
€ 2,535 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 5,07
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Standard
2
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 2,535 | € 5,07 |
| 10 - 18 | € 2,403 | € 4,81 |
| 20 - 48 | € 2,164 | € 4,33 |
| 50 - 98 | € 1,947 | € 3,89 |
| 100+ | € 1,85 | € 3,70 |
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Type de boîtier
TO-247
Type de montage
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N
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3
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Single
Dimensions
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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+175 °C
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Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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