IGBT, STGW20H60DF, , 40 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
IGBT
Courant continu de Collecteur maximum lc
40A
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
167W
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Taille
20.15mm
Normes/homologations
RoHS
Séries
Trench Gate Field Stop
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 51,31
€ 1,71 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 1,71 | € 51,31 |
| 60 - 120 | € 1,665 | € 49,96 |
| 150+ | € 1,625 | € 48,75 |
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Type de Boitier
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Type de montage
Through Hole
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Type N
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3
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-55°C
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2V
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Taille
20.15mm
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RoHS
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Standard automobile
No
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China
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Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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