IGBT, STGW20NC60VD, , 60 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
60 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Type de boîtier
A-247
Type de fixation
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 63,82
€ 2,127 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 60 | € 2,127 | € 63,82 |
| 90 - 480 | € 1,986 | € 59,57 |
| 510 - 960 | € 1,934 | € 58,03 |
| 990+ | € 1,886 | € 56,59 |
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Type de fixation
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Type de canal
N
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3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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150 °C
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Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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