IGBT, STGW20NC60VD, , 60 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
60 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Température maximum d'utilisation
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 3,27
€ 3,27 Each (hors TVA)
Standard
1
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 3,27 |
| 10 - 99 | € 3,06 |
| 100 - 499 | € 2,97 |
| 500 - 999 | € 2,89 |
| 1000+ | € 2,82 |
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Type de boîtier
TO-247
Type de montage
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N
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3
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Single
Dimensions
15.75 x 5.15 x 20.15mm
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Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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