IGBT, STGW20NC60VD, , 60 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
54A
Type de produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
167W
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
70ns
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.7V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
5.15 mm
Taille
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
JEDEC
Séries
SMPS
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 54,40
€ 1,813 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 60 | € 1,813 | € 54,40 |
| 90 - 480 | € 1,691 | € 50,74 |
| 510 - 960 | € 1,648 | € 49,44 |
| 990+ | € 1,608 | € 48,24 |
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Type de produit
IGBT
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Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
70ns
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.7V
Température d'utilisation maximum
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Largeur
5.15 mm
Taille
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
JEDEC
Séries
SMPS
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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