IGBT, STGW60H65DFB, , 80 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
80A
Type de produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
650V
Dissipation de puissance maximum Pd
375W
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.3V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Taille
20.15mm
Normes/homologations
RoHS
Séries
H
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 90,63
€ 3,021 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 3,021 | € 90,63 |
| 60 - 120 | € 2,943 | € 88,29 |
| 150+ | € 2,87 | € 86,11 |
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IGBT
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Through Hole
Type de canal
Type N
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3
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.3V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
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Taille
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RoHS
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H
Standard automobile
No
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China
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Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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