Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
60 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
375 W
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température maximum d'utilisation
+175 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 98,54
€ 3,285 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 98,54
€ 3,285 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 3,285 | € 98,54 |
| 60 - 120 | € 3,199 | € 95,98 |
| 150+ | € 3,12 | € 93,59 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
60 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
375 W
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température maximum d'utilisation
+175 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


