IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 60 A, 600 V 1 MHz, 3 broches, TO-247 Traversant
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
IGBT
Courant continu de Collecteur maximum lc
60A
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
375W
Type de Boitier
TO-247
Type de support
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
No
Séries
Trench Gate Field Stop
Largeur
5.15 mm
Taille
20.15mm
Longueur
15.75mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 98,26
€ 3,275 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 98,26
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30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 3,275 | € 98,26 |
| 60 - 120 | € 3,19 | € 95,71 |
| 150+ | € 3,111 | € 93,33 |
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60A
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Type de Boitier
TO-247
Type de support
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.3V
Température d'utilisation maximum
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No
Séries
Trench Gate Field Stop
Largeur
5.15 mm
Taille
20.15mm
Longueur
15.75mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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