IGBT, STGW80H65DFB, , 120 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
120 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
650 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
469 W
Type de boîtier
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température maximum de fonctionnement
+175 °C
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 5,03
€ 5,03 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 5,03
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 5,03 |
| 5 - 9 | € 4,77 |
| 10 - 24 | € 4,30 |
| 25 - 49 | € 3,87 |
| 50+ | € 3,68 |
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469 W
Type de boîtier
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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+175 °C
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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