IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 120 A, 600 V 1 MHz, 3 broches, TO-247 Traversant
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
120A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
469W
Type de Boitier
TO-247
Type de support
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Température de fonctionnement minimum
-40°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
5.15 mm
Taille
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Séries
Trench Gate Field Stop
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 140,35
€ 4,678 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Température de fonctionnement minimum
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Taille
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No
Séries
Trench Gate Field Stop
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No
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Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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