IGBT, STGWT60H65DFB, , 80 A, 650 V, TO-3P, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
IGBT
Courant continu de Collecteur maximum lc
80A
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
650V
Dissipation de puissance maximum Pd
375W
Type de Boitier
TO-3P
Type de montage
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
1MHz
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
RoHS
Séries
HB
Standard automobile
No
Pays d'origine
Korea, Republic Of
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 87,22
€ 2,907 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 2,907 | € 87,22 |
| 60 - 120 | € 2,831 | € 84,94 |
| 150+ | € 2,762 | € 82,86 |
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Type de Boitier
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Type de montage
Through Hole
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Type N
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3
Vitesse de découpage
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Température de fonctionnement minimum
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Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
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Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
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Température d'utilisation maximum
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HB
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No
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Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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