IGBT, STGWT80H65DFB, , 120 A, 650 V, TO-3P, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
120 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
650 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
469 W
Type de boîtier
TO-3P W
Type de fixation
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
1MHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.8 x 5 x 20.1mm
Température maximale d'utilisation
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Korea, Republic Of
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 137,19
€ 4,573 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 4,573 | € 137,19 |
| 60 - 120 | € 3,891 | € 116,73 |
| 150+ | € 3,795 | € 113,85 |
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469 W
Type de boîtier
TO-3P W
Type de fixation
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
1MHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.8 x 5 x 20.1mm
Température maximale d'utilisation
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Korea, Republic Of
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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