IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 650 V 1 MHz, 3 broches, TO-3P Traversant
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
650V
Dissipation de puissance maximum Pd
469W
Type de Boitier
TO-3P
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Maximální provozní teplota
85°C
Normes/homologations
RoHS
Série
HB
Automobilový standard
No
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 6,03
€ 6,03 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 6,03
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 6,03 |
| 5 - 9 | € 5,73 |
| 10 - 24 | € 5,15 |
| 25 - 49 | € 4,64 |
| 50+ | € 4,40 |
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TO-3P
Typ montáže
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Type N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
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Température minimum de fonctionnement
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Série
HB
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No
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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