IGBT, STGWT80H65DFB, , 120 A, 650 V, TO-3P, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
650V
Dissipation de puissance maximum Pd
469W
Type de Boitier
TO-3P
Type de montage
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
RoHS
Séries
HB
Standard automobile
No
Pays d'origine
Korea, Republic Of
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 137,80
€ 4,593 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 137,80
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30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 4,593 | € 137,80 |
| 60 - 120 | € 3,908 | € 117,25 |
| 150+ | € 3,812 | € 114,35 |
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Type de montage
Through Hole
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Type N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
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±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
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Température de fonctionnement minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
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RoHS
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HB
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No
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Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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