Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Schottky Diode
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
TO-220
Courant continu direct maximum If
10A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
650V
Configuration de diode
Silicon Carbide Schottky Diode
Série
STPSC
Type de Diode
SiC Schottky
Nombre de broche
2
Courant inverse crête Ir
425μA
Tension directe maximale Vf
1.3V
Température d'utilisation minimale
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
650A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.75mm
Taille
4.6mm
Pays d'origine
China
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1,70
€ 1,70 Each (hors TVA)
1
€ 1,70
€ 1,70 Each (hors TVA)
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1
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Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Schottky Diode
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
TO-220
Courant continu direct maximum If
10A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
650V
Configuration de diode
Silicon Carbide Schottky Diode
Série
STPSC
Type de Diode
SiC Schottky
Nombre de broche
2
Courant inverse crête Ir
425μA
Tension directe maximale Vf
1.3V
Température d'utilisation minimale
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
650A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.75mm
Taille
4.6mm
Pays d'origine
China


