Diode CMS STMicroelectronics, 10A, 650V, D2PAK (TO-263)
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de montage
CMS
Type d'emballage
D2PAK (TO-263)
Courant direct continu maximum
10A
Tension inverse de crête répétitive
650V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Schottky Diode
Type diode
SiC Schottky
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
2.5V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
SiC Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
470A
Détails du produit
Diode Schottky (SiC) en carbure de silicium pour l'automobile, STMicroelectronics
Une diode en carbure de silicium (SiC) est un redresseur de puissance Schottky à très hautes performances. Ces pièces, avec le suffixe -Y dans la référence, sont de qualité automobile, conforme à la norme AEC-Q101.
• Le haut rendement ajoute de la valeur à un convertisseur de puissance
• Réduit la taille et le coût d'un convertisseur de puissance
• Faible impact de CEM, simplifie la certification et réduit le temps de mise sur le marché
• Robustesse élevée naturelle garantissant une fiabilité très élevée
• Récupération inverse nulle ou négligeable
• Comportement de commutation indépendant de la température
• Capacité de surtension directe élevée
• Compatible PPAP
• Composant conforme à ECOPACK 2
• Certifié AEC-Q101
Codes de produit RS
110-6562 STPSC10H065GY-TR, diode Schottky SiC D²PAK 10 A, 650 V
124-1124 STPSC12065DY, diode Schottky SiC TO-220AC 12 A, 650 V
124-1127 STPSC20065DY, diode Schottky SiC TO-220AC 20 A, 650 V
124-1128 STPSC20065WY, diode Schottky SiC DO-247 20 A, 650 V
124-1129 STPSC40065JCM, double diode Schottky SiC TO-247 20 A, 650 V
Approvals
AEC-Q101
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
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€ 39,42
€ 3,942 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 39,42
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Paquet de production (Bobine)
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 10 - 18 | € 3,942 | € 7,88 |
| 20 - 48 | € 3,549 | € 7,10 |
| 50 - 98 | € 3,196 | € 6,39 |
| 100+ | € 3,034 | € 6,07 |
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CMS
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D2PAK (TO-263)
Courant direct continu maximum
10A
Tension inverse de crête répétitive
650V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Schottky Diode
Type diode
SiC Schottky
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
2.5V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
SiC Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
470A
Détails du produit
Diode Schottky (SiC) en carbure de silicium pour l'automobile, STMicroelectronics
Une diode en carbure de silicium (SiC) est un redresseur de puissance Schottky à très hautes performances. Ces pièces, avec le suffixe -Y dans la référence, sont de qualité automobile, conforme à la norme AEC-Q101.
• Le haut rendement ajoute de la valeur à un convertisseur de puissance
• Réduit la taille et le coût d'un convertisseur de puissance
• Faible impact de CEM, simplifie la certification et réduit le temps de mise sur le marché
• Robustesse élevée naturelle garantissant une fiabilité très élevée
• Récupération inverse nulle ou négligeable
• Comportement de commutation indépendant de la température
• Capacité de surtension directe élevée
• Compatible PPAP
• Composant conforme à ECOPACK 2
• Certifié AEC-Q101
Codes de produit RS
110-6562 STPSC10H065GY-TR, diode Schottky SiC D²PAK 10 A, 650 V
124-1124 STPSC12065DY, diode Schottky SiC TO-220AC 12 A, 650 V
124-1127 STPSC20065DY, diode Schottky SiC TO-220AC 20 A, 650 V
124-1128 STPSC20065WY, diode Schottky SiC DO-247 20 A, 650 V
124-1129 STPSC40065JCM, double diode Schottky SiC TO-247 20 A, 650 V
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AEC-Q101
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
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