Diode STPSC10H065GY-TR Surface STMicroelectronics, 10 A Commutation, 650 V, TO-263 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Diode
Type de montage
Surface
Type de Boitier
TO-263
Courant continu direct maximum If
10A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
650V
Configuration de diode
Single
Type de Diode
Switching
Nombre de broches
3
Courant inverse crête Ir
425μA
Température minimum de fonctionnement
-40°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
470A
Tension directe maximale Vf
2.5V
Température maximale d'utilisation
175°C
Largeur
8.95 mm
Hauteur
4.4mm
Longueur
10mm
Diamètre
3.75 mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Diode Schottky (SiC) en carbure de silicium pour l'automobile, STMicroelectronics
Une diode en carbure de silicium (SiC) est un redresseur de puissance Schottky à très hautes performances. Ces pièces, avec le suffixe -Y dans la référence, sont de qualité automobile, conforme à la norme AEC-Q101.
• Le haut rendement ajoute de la valeur à un convertisseur de puissance
• Réduit la taille et le coût d'un convertisseur de puissance
• Faible impact de CEM, simplifie la certification et réduit le temps de mise sur le marché
• Robustesse élevée naturelle garantissant une fiabilité très élevée
• Récupération inverse nulle ou négligeable
• Comportement de commutation indépendant de la température
• Capacité de surtension directe élevée
• Compatible PPAP
• Composant conforme à ECOPACK 2
• Certifié AEC-Q101
Codes de produit RS
110-6562 STPSC10H065GY-TR, diode Schottky SiC D²PAK 10 A, 650 V
124-1124 STPSC12065DY, diode Schottky SiC TO-220AC 12 A, 650 V
124-1127 STPSC20065DY, diode Schottky SiC TO-220AC 20 A, 650 V
124-1128 STPSC20065WY, diode Schottky SiC DO-247 20 A, 650 V
124-1129 STPSC40065JCM, double diode Schottky SiC TO-247 20 A, 650 V
Approvals
AEC-Q101
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 32,43
€ 3,243 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 32,43
€ 3,243 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 10 - 18 | € 3,243 | € 6,48 |
| 20 - 48 | € 2,922 | € 5,84 |
| 50 - 98 | € 2,63 | € 5,26 |
| 100+ | € 2,498 | € 5,00 |
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Diode
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Surface
Type de Boitier
TO-263
Courant continu direct maximum If
10A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
650V
Configuration de diode
Single
Type de Diode
Switching
Nombre de broches
3
Courant inverse crête Ir
425μA
Température minimum de fonctionnement
-40°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
470A
Tension directe maximale Vf
2.5V
Température maximale d'utilisation
175°C
Largeur
8.95 mm
Hauteur
4.4mm
Longueur
10mm
Diamètre
3.75 mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Diode Schottky (SiC) en carbure de silicium pour l'automobile, STMicroelectronics
Une diode en carbure de silicium (SiC) est un redresseur de puissance Schottky à très hautes performances. Ces pièces, avec le suffixe -Y dans la référence, sont de qualité automobile, conforme à la norme AEC-Q101.
• Le haut rendement ajoute de la valeur à un convertisseur de puissance
• Réduit la taille et le coût d'un convertisseur de puissance
• Faible impact de CEM, simplifie la certification et réduit le temps de mise sur le marché
• Robustesse élevée naturelle garantissant une fiabilité très élevée
• Récupération inverse nulle ou négligeable
• Comportement de commutation indépendant de la température
• Capacité de surtension directe élevée
• Compatible PPAP
• Composant conforme à ECOPACK 2
• Certifié AEC-Q101
Codes de produit RS
110-6562 STPSC10H065GY-TR, diode Schottky SiC D²PAK 10 A, 650 V
124-1124 STPSC12065DY, diode Schottky SiC TO-220AC 12 A, 650 V
124-1127 STPSC20065DY, diode Schottky SiC TO-220AC 20 A, 650 V
124-1128 STPSC20065WY, diode Schottky SiC DO-247 20 A, 650 V
124-1129 STPSC40065JCM, double diode Schottky SiC TO-247 20 A, 650 V
Approvals
AEC-Q101
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
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