Diode STPSC12065DY Traversant STMicroelectronics, 12 A, 650 V, TO-220 2 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Diode
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
TO-220
Courant continu direct maximum If
12A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
650V
Séries
STPSC12065-Y
Configuration de diode
Single
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
1mA
Température minimum de fonctionnement
-40°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
220A
Tension directe maximale Vf
1.65V
Température maximum de fonctionnement
175°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
15.75mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Diode Schottky (SiC) en carbure de silicium pour l'automobile, STMicroelectronics
Une diode en carbure de silicium (SiC) est un redresseur de puissance Schottky à très hautes performances. Ces pièces, avec le suffixe -Y dans la référence, sont de qualité automobile, conforme à la norme AEC-Q101.
• Le haut rendement ajoute de la valeur à un convertisseur de puissance
• Réduit la taille et le coût d'un convertisseur de puissance
• Faible impact de CEM, simplifie la certification et réduit le temps de mise sur le marché
• Robustesse élevée naturelle garantissant une fiabilité très élevée
• Récupération inverse nulle ou négligeable
• Comportement de commutation indépendant de la température
• Capacité de surtension directe élevée
• Compatible PPAP
• Composant conforme à ECOPACK 2
• Certifié AEC-Q101
Codes de produit RS
110-6562 STPSC10H065GY-TR, diode Schottky SiC D²PAK 10 A, 650 V
124-1124 STPSC12065DY, diode Schottky SiC TO-220AC 12 A, 650 V
124-1127 STPSC20065DY, diode Schottky SiC TO-220AC 20 A, 650 V
124-1128 STPSC20065WY, diode Schottky SiC DO-247 20 A, 650 V
124-1129 STPSC40065JCM, double diode Schottky SiC TO-247 20 A, 650 V
Approvals
AEC-Q101
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 4,65
€ 2,326 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
2
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Diode
Type de montage
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Type de Boitier
TO-220
Courant continu direct maximum If
12A
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650V
Séries
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Configuration de diode
Single
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
1mA
Température minimum de fonctionnement
-40°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
220A
Tension directe maximale Vf
1.65V
Température maximum de fonctionnement
175°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
15.75mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Diode Schottky (SiC) en carbure de silicium pour l'automobile, STMicroelectronics
Une diode en carbure de silicium (SiC) est un redresseur de puissance Schottky à très hautes performances. Ces pièces, avec le suffixe -Y dans la référence, sont de qualité automobile, conforme à la norme AEC-Q101.
• Le haut rendement ajoute de la valeur à un convertisseur de puissance
• Réduit la taille et le coût d'un convertisseur de puissance
• Faible impact de CEM, simplifie la certification et réduit le temps de mise sur le marché
• Robustesse élevée naturelle garantissant une fiabilité très élevée
• Récupération inverse nulle ou négligeable
• Comportement de commutation indépendant de la température
• Capacité de surtension directe élevée
• Compatible PPAP
• Composant conforme à ECOPACK 2
• Certifié AEC-Q101
Codes de produit RS
110-6562 STPSC10H065GY-TR, diode Schottky SiC D²PAK 10 A, 650 V
124-1124 STPSC12065DY, diode Schottky SiC TO-220AC 12 A, 650 V
124-1127 STPSC20065DY, diode Schottky SiC TO-220AC 20 A, 650 V
124-1128 STPSC20065WY, diode Schottky SiC DO-247 20 A, 650 V
124-1129 STPSC40065JCM, double diode Schottky SiC TO-247 20 A, 650 V
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AEC-Q101
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
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