Diode STPSC20065WY Traversant STMicroelectronics, 20 A, 650 V, DO-247 2 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Diode
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
DO-247
Courant continu direct maximum If
20A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
650V
Configuration de diode
Single
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
2mA
Température minimum de fonctionnement
-40°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
400A
Tension directe maximale Vf
1.65V
Température maximum de fonctionnement
175°C
Largeur
5.15 mm
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Diamètre
3.75 mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Diode Schottky (SiC) en carbure de silicium pour l'automobile, STMicroelectronics
Une diode en carbure de silicium (SiC) est un redresseur de puissance Schottky à très hautes performances. Ces pièces, avec le suffixe -Y dans la référence, sont de qualité automobile, conforme à la norme AEC-Q101.
• Le haut rendement ajoute de la valeur à un convertisseur de puissance
• Réduit la taille et le coût d'un convertisseur de puissance
• Faible impact de CEM, simplifie la certification et réduit le temps de mise sur le marché
• Robustesse élevée naturelle garantissant une fiabilité très élevée
• Récupération inverse nulle ou négligeable
• Comportement de commutation indépendant de la température
• Capacité de surtension directe élevée
• Compatible PPAP
• Composant conforme à ECOPACK 2
• Certifié AEC-Q101
Codes de produit RS
110-6562 STPSC10H065GY-TR, diode Schottky SiC D²PAK 10 A, 650 V
124-1124 STPSC12065DY, diode Schottky SiC TO-220AC 12 A, 650 V
124-1127 STPSC20065DY, diode Schottky SiC TO-220AC 20 A, 650 V
124-1128 STPSC20065WY, diode Schottky SiC DO-247 20 A, 650 V
124-1129 STPSC40065JCM, double diode Schottky SiC TO-247 20 A, 650 V
Approvals
AEC-Q101
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 6,53
€ 6,53 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 6,53
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 6,53 |
| 5 - 9 | € 6,20 |
| 10 - 24 | € 5,60 |
| 25 - 49 | € 5,46 |
| 50+ | € 5,31 |
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Diode
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
DO-247
Courant continu direct maximum If
20A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
650V
Configuration de diode
Single
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
2mA
Température minimum de fonctionnement
-40°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
400A
Tension directe maximale Vf
1.65V
Température maximum de fonctionnement
175°C
Largeur
5.15 mm
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Diamètre
3.75 mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Diode Schottky (SiC) en carbure de silicium pour l'automobile, STMicroelectronics
Une diode en carbure de silicium (SiC) est un redresseur de puissance Schottky à très hautes performances. Ces pièces, avec le suffixe -Y dans la référence, sont de qualité automobile, conforme à la norme AEC-Q101.
• Le haut rendement ajoute de la valeur à un convertisseur de puissance
• Réduit la taille et le coût d'un convertisseur de puissance
• Faible impact de CEM, simplifie la certification et réduit le temps de mise sur le marché
• Robustesse élevée naturelle garantissant une fiabilité très élevée
• Récupération inverse nulle ou négligeable
• Comportement de commutation indépendant de la température
• Capacité de surtension directe élevée
• Compatible PPAP
• Composant conforme à ECOPACK 2
• Certifié AEC-Q101
Codes de produit RS
110-6562 STPSC10H065GY-TR, diode Schottky SiC D²PAK 10 A, 650 V
124-1124 STPSC12065DY, diode Schottky SiC TO-220AC 12 A, 650 V
124-1127 STPSC20065DY, diode Schottky SiC TO-220AC 20 A, 650 V
124-1128 STPSC20065WY, diode Schottky SiC DO-247 20 A, 650 V
124-1129 STPSC40065JCM, double diode Schottky SiC TO-247 20 A, 650 V
Approvals
AEC-Q101
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
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