Diode Schottky STMicroelectronics Schottky SiC Diode Schottky en carbure de silicium, 650 V, , 4 A Traversant 2 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de montage
Through Hole
Type du produit
Schottky Diode
Type de Boitier
TO-220
Courant continu direct maximum If
4A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
650V
Série
STPSC
Configuration de diode
Silicon Carbide Schottky Diode
Type de Diode
SiC Schottky
Nombre de broche
2
Tension directe maximale Vf
1.3V
Température d'utilisation minimale
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
385A
Courant inverse crête Ir
170μA
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.75mm
Taille
4.6mm
Pays d'origine
China
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€ 0,98
€ 0,98 Each (hors TVA)
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Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
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