Diode Schottky STMicroelectronics Schottky SiC Diode Schottky en carbure de silicium, 650 V, , 4 A 2 broches TO-220
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Schottky Diode
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
TO-220
Courant continu direct maximum If
4A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
650V
Configuration de diode
Diode Schottky en carbure de silicium
Séries
STPSC
Type de Diode
SiC Schottky
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
170μA
Tension directe maximale Vf
1.3V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
385A
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
10.4 mm
Longueur
15.75mm
Hauteur
4.6mm
Pays d'origine
China
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€ 0,52
€ 0,52 Each (hors TVA)
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Tension directe maximale Vf
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Température minimum de fonctionnement
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