Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de fixation
Through Hole
Type de boîtier
TO-220AC
Courant direct continu maximum
22A
Tension inverse de crête répétitive
650V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Diode Schottky
Type diode
SiC Schottky
Nombre de broche
2
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
SiC Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
400A
Détails du produit
Diode Schottky (SiC) en carbure de silicium, STMicroelectronics
Une diode en carbure de silicium (SiC) est un redresseur de puissance Schottky à très hautes performances.
Récupération inverse nulle ou négligeable
Comportement de commutation indépendant de la température
Dédié aux applications PFC
Capacité de surtension élevée
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 12,79
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
€ 12,79
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
5
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de fixation
Through Hole
Type de boîtier
TO-220AC
Courant direct continu maximum
22A
Tension inverse de crête répétitive
650V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Diode Schottky
Type diode
SiC Schottky
Nombre de broche
2
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
SiC Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
400A
Détails du produit
Diode Schottky (SiC) en carbure de silicium, STMicroelectronics
Une diode en carbure de silicium (SiC) est un redresseur de puissance Schottky à très hautes performances.
Récupération inverse nulle ou négligeable
Comportement de commutation indépendant de la température
Dédié aux applications PFC
Capacité de surtension élevée


