Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de fixation
Through Hole
Type de boîtier
TO-220AC
Courant direct continu maximum
22A
Tension inverse de crête répétitive
650V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Diode Schottky
Type diode
SiC Schottky
Nombre de broche
2
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
SiC Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
400A
Détails du produit
Diode Schottky (SiC) en carbure de silicium, STMicroelectronics
Une diode en carbure de silicium (SiC) est un redresseur de puissance Schottky à très hautes performances.
Récupération inverse nulle ou négligeable
Comportement de commutation indépendant de la température
Dédié aux applications PFC
Capacité de surtension élevée
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
€ 12,79
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
€ 12,79
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de fixation
Through Hole
Type de boîtier
TO-220AC
Courant direct continu maximum
22A
Tension inverse de crête répétitive
650V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Diode Schottky
Type diode
SiC Schottky
Nombre de broche
2
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
SiC Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
400A
Détails du produit
Diode Schottky (SiC) en carbure de silicium, STMicroelectronics
Une diode en carbure de silicium (SiC) est un redresseur de puissance Schottky à très hautes performances.
Récupération inverse nulle ou négligeable
Comportement de commutation indépendant de la température
Dédié aux applications PFC
Capacité de surtension élevée


