Diode STMicroelectronics Schottky SiC Diode Schottky en carbure de silicium, 650 V, , 8 A Traversant 2 broches TO-220AC

N° de stock RS: 734-024Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STPSC8G065D

Documents techniques

Spécifications

Typ produktu

Diode

Typ montáže

Through Hole

Type de Boitier

TO-220AC

Courant continu direct maximum If

8A

Tension inverse de crête répétitive Vrrm

650V

Configuration de diode

Schottkyho dioda z karbidu křemíku

Séries

STPS

Type de Diode

SiC Schottky

Nombre de broche

2

Courant inverse crête Ir

340μA

Tension directe maximale Vf

1.3V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm

540A

Maximální provozní teplota

85°C

Longueur

15.75mm

Hauteur

4.6mm

Pays d'origine

China

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 0,77

€ 0,77 Each (hors TVA)

Diode STMicroelectronics Schottky SiC Diode Schottky en carbure de silicium, 650 V, , 8 A Traversant 2 broches TO-220AC

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QuantitéPrix unitaire
1 - 9€ 0,77
10 - 24€ 0,75
25 - 99€ 0,73
100 - 499€ 0,71
500+€ 0,69

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Diode

Typ montáže

Through Hole

Type de Boitier

TO-220AC

Courant continu direct maximum If

8A

Tension inverse de crête répétitive Vrrm

650V

Configuration de diode

Schottkyho dioda z karbidu křemíku

Séries

STPS

Type de Diode

SiC Schottky

Nombre de broche

2

Courant inverse crête Ir

340μA

Tension directe maximale Vf

1.3V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm

540A

Maximální provozní teplota

85°C

Longueur

15.75mm

Hauteur

4.6mm

Pays d'origine

China