Diode STMicroelectronics Schottky SiC Diode Schottky en carbure de silicium, 650 V, , 8 A Traversant 2 broches TO-220AC
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Diode
Typ montáže
Through Hole
Type de Boitier
TO-220AC
Courant continu direct maximum If
8A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
650V
Configuration de diode
Schottkyho dioda z karbidu křemíku
Séries
STPS
Type de Diode
SiC Schottky
Nombre de broche
2
Courant inverse crête Ir
340μA
Tension directe maximale Vf
1.3V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
540A
Maximální provozní teplota
85°C
Longueur
15.75mm
Hauteur
4.6mm
Pays d'origine
China
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 0,77
€ 0,77 Each (hors TVA)
1
€ 0,77
€ 0,77 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 0,77 |
| 10 - 24 | € 0,75 |
| 25 - 99 | € 0,73 |
| 100 - 499 | € 0,71 |
| 500+ | € 0,69 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Diode
Typ montáže
Through Hole
Type de Boitier
TO-220AC
Courant continu direct maximum If
8A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
650V
Configuration de diode
Schottkyho dioda z karbidu křemíku
Séries
STPS
Type de Diode
SiC Schottky
Nombre de broche
2
Courant inverse crête Ir
340μA
Tension directe maximale Vf
1.3V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
540A
Maximální provozní teplota
85°C
Longueur
15.75mm
Hauteur
4.6mm
Pays d'origine
China