Diode STMicroelectronics Schottky SiC Diode Schottky en carbure de silicium, 650 V, , 8 A Traversant 2 broches TO-220AC

Brand

Type de produit

Diode

Type de support

Through Hole

Type de Boitier

TO-220AC

Courant continu direct maximum If

8A

Tension inverse de crête répétitive Vrrm

650V

Configuration de diode

Diode Schottky en carbure de silicium

Série

STPS

Type de Diode

SiC Schottky

Nombre de broches

2

Courant inverse crête Ir

340μA

Tension directe maximale Vf

1.3V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm

540A

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

15.75mm

Hauteur

4.6mm

Pays d'origine

China