Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Diode
Type de montage
Surface
Type de Boitier
MELF
Courant continu direct maximum If
500mA
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
80V
Séries
TMBAT49
Configuration de diode
Single
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
200μA
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
10A
Tension directe maximale Vf
1V
Température d'utilisation maximum
125°C
Hauteur
2.65mm
Longueur
5.2mm
Largeur
2.65 mm
Diamètre
2.5 mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 15,57
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 15,57
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
50
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Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Diode
Type de montage
Surface
Type de Boitier
MELF
Courant continu direct maximum If
500mA
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
80V
Séries
TMBAT49
Configuration de diode
Single
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
200μA
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
10A
Tension directe maximale Vf
1V
Température d'utilisation maximum
125°C
Hauteur
2.65mm
Longueur
5.2mm
Largeur
2.65 mm
Diamètre
2.5 mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.


