Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Diode
Type de montage
Surface
Type de Boitier
MiniMELF
Courant continu direct maximum If
350mA
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
40V
Séries
TMMBAT48
Configuration de diode
Single
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
25μA
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
7.5A
Tension directe maximale Vf
1V
Temps de recouvrement inverse crête trr
10ns
Température de fonctionnement maximale
125°C
Longueur
3.4mm
Largeur
1.62 mm
Hauteur
1.62mm
Diamètre
1.5 mm
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
No
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 108,85
€ 0,044 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
€ 108,85
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2500
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Brand
STMicroelectronicsType de produit
Diode
Type de montage
Surface
Type de Boitier
MiniMELF
Courant continu direct maximum If
350mA
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
40V
Séries
TMMBAT48
Configuration de diode
Single
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
25μA
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
7.5A
Tension directe maximale Vf
1V
Temps de recouvrement inverse crête trr
10ns
Température de fonctionnement maximale
125°C
Longueur
3.4mm
Largeur
1.62 mm
Hauteur
1.62mm
Diamètre
1.5 mm
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
No
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.


